Halbleiterinspektion

Waferinspektion

Herausforderungen bei der Bewerbung

Bei der Waferinspektion liegen Defekte oft im Mikrometer- oder sogar Nanometerbereich und beeinträchtigen die Gesamtausbeute direkt. Kameras müssen daher eine extrem hohe Auflösung und ein geringes Rauschen bieten, um selbst feinste Merkmale wie Partikel, Kratzer und Musterabweichungen zu erfassen. Die hohe Reflektivität der Waferoberflächen und Interferenzerscheinungen stellen zusätzliche Anforderungen an den Dynamikbereich. Die globale Inspektion von 12-Zoll-Wafern und größeren Wafern erfordert eine Kombination aus großformatigen Sensoren und Hochgeschwindigkeits-Scanfunktionen, um Effizienz und Genauigkeit optimal zu vereinen.

Waferinspektion
8KTDI-EN

Gemini 8KTDI

Hochgeschwindigkeits-TDI-sCMOS-Kamera für tiefes Ultraviolett

Gemini 8KTDI bietet nicht nur eine deutliche Verbesserung der Empfindlichkeit in seinen wichtigsten Anwendungswellenlängen – mit Quanteneffizienzen von 63,9 % bei 266 nm und 58 % bei 355 nm im UV-Bereich sowie einem Spitzenwert von 93,4 % bei 420 nm im sichtbaren Bereich –, sondern ist auch Vorreiter bei der Implementierung der 100G-CoF-Hochgeschwindigkeitsdatenschnittstellentechnologie. Mit einer 8K-Leitungsfrequenz von bis zu 1 MHz verdoppelt sich der Gesamtdurchsatz im Vergleich zur Vorgängergeneration. Ausgestattet mit dem stabilen und zuverlässigen Kühl- und Rauschunterdrückungssystem von TUCsen unterdrückt es effektiv thermisches Rauschen im Hochgeschwindigkeitsbetrieb, minimiert Datenschwankungen und verbessert die Messgenauigkeit. Dadurch eignet es sich besonders für Front-End-Halbleiteranwendungen, die sowohl hohe Präzision als auch hohen Durchsatz erfordern.

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