科学用イメージングカメラでは、センサーアーキテクチャ画像品質、感度、および全体的なパフォーマンスを決定する上で重要な役割を果たします。最新の高性能カメラのほとんどは、CMOS(相補型金属酸化膜半導体)画像を形成する感光性ピクセルアレイのための技術。
CMOSセンサー技術には、主に2つの照明アーキテクチャがあります。前面照明(FSI)そして裏面照射型(BSI)センサーどちらの設計も科学用カメラで広く使用されているが、入射光がセンサーのフォトダイオードに到達する方法が異なっている。
違いを理解するFSIおよびBSI sCMOSセンサー研究者やエンジニアが、顕微鏡観察、低照度イメージング、その他の高度な科学的測定などの用途に最適なカメラを選択するのに役立ちます。
FSIおよびBSI sCMOSセンサーとは何ですか?
センサーモデルとは、画像処理装置で使用されるカメラセンサー技術の種類を指します。科学画像システムにおいて、センサーは入射光を捉え、それを電気信号に変換して最終画像を生成する上で重要な役割を果たします。
最もモダンな科学カメラ利用するCMOS感光性画素アレイのための技術。CMOSセンサーは高性能イメージングの業界標準となり、顕微鏡、生命科学研究、産業検査などの用途で広く使用されている。
CMOSセンサー技術には、現代のカメラで使用されている主な照明アーキテクチャが2つあります。FSIセンサーそしてBSIセンサーどちらのタイプも同じCMOSイメージング技術に基づいているが、光がセンサー構造内をどのように通過して検出用シリコンに到達するかという点で異なっている。
この構造的な違いを理解することが、その理由を説明する鍵となる。BSIセンサーは多くの場合、より高い感度を提供する特に、低照度環境下での科学画像処理において。
前面照射型(FSI)センサーの仕組みとは?
FSIセンサーとも呼ばれる前面照射型(FI)センサーこれらは、現代のイメージングシステムで使用されている最も一般的なCMOSセンサーアーキテクチャです。この設計が広く採用されている主な理由は、製造がより簡素で費用対効果が高い.
FSIセンサーでは、各ピクセルを制御する配線とトランジスタが配置されています。感光性シリコン層の上入射光子は、光を検出するフォトダイオードに到達する前に、この電子回路層を通過しなければなりません。光子がこれらの部品に当たると、吸収または散乱光感受性領域に到達するのを防ぐ。
この構造はフィルファクター各ピクセルの実効値を下げる量子効率(QE)—入射光子が検出される確率。結果として、FSIセンサーは一般的に感度が低い特に低照度環境下での撮影において。
利点
●製造がよりシンプルFSIセンサーは、センサー構造上シリコン基板を薄くする必要がないため、製造が容易である。
●製造コストの削減―製造工程が簡素化されるため、前面照射型センサーはコスト効率が高くなる。
デメリット
●感度が低い配線や電子部品が光検出用シリコンの上に配置されているため、入射光子の一部がフォトダイオードに到達する前に遮断される可能性がある。
図1:前面照射型および背面照射型画素の構造
前面照射型センサー(左)と背面照射型センサー(右)の画素構造の側面図。前面はカラーフィルターの有無、背面はマイクロレンズの有無を示している。各構成要素の説明については本文を参照のこと。
裏面照射型(BSI)センサーの仕組みとは?
BSIセンサーは、光収集効率を向上させるために設計された異なるアーキテクチャを採用しています。この設計では、センサー構造は効果的に反転これにより、光子が配線やトランジスタを経由することなく、光に敏感なシリコンに直接到達することが可能になる。
この構成を実現するには、感光層を支持するバルクシリコンが機械的または化学的に薄めたプロセスはしばしば次のように呼ばれます背中の毛を抜くこの製造工程により、光がフォトダイオードに透過するようになるが、同時に製造プロセスがより複雑になる。
配線層はフォトダイオードの後ろに配置されているため、ピクセル充填率が100%に近づくこれにより、入射光子の検出率がはるかに高くなります。結果として、BSIセンサーは非常に高い量的緩和場合によっては到達する90~95%―これにより、低照度条件下での撮影感度が大幅に向上する。
利点


●感度が高い配線が光路を遮らないため、より多くの光子がフォトダイオードに到達し、信号検出性能が向上します。
●低照度条件下での性能向上BSIセンサーは、微弱な信号や微細なディテールを捉えることが重要な用途において特に効果を発揮します。
デメリット
●コストが高く、製造が複雑になるBSIセンサーに必要なウェハー薄化プロセスは、製造の難易度と生産コストを増加させる。
FSIとBSI sCMOSセンサーの主な違い
FSIセンサーとBSIセンサーはどちらも同じCMOSイメージング技術に基づいているものの、内部構造の違いにより、性能、感度、製造の複雑さにおいて重要な差異が生じる。
主な違いは、光がフォトダイオードに到達する方法にある。FSIセンサーでは、入射光子は感光性シリコンに到達する前に、配線や電子回路の層を通過する必要がある。一方、BSIセンサーでは、センサー構造が反転しているため、光子がフォトダイオードに直接入射し、集光効率が向上する。
このアーキテクチャの変更により、フィルファクターが向上し、量子効率(QE)が大幅に改善されるため、BSIセンサーはより多くの入射光子を検出できるようになります。特に低照度条件下でその効果は顕著です。しかし、この性能向上は、製造プロセスの複雑化という代償を伴います。
| 特徴 | FSI sCMOSセンサー | BSI sCMOSセンサー |
| センサー構造 | フォトダイオード上の配線 | フォトダイオードの裏側の配線 |
| 光路 | 電子機器によって部分的に遮られている | フォトダイオードへの直接経路 |
| 充填率 | 配線層によって削減 | ほぼ100% |
| 量子効率 | 適度 | 非常に高い(最大約95%) |
| 感度 | 低照度イメージングでは低下 | 感度が高い |
| 製造コスト | より低い | より高い |
こうした違いがあるため、FSIセンサーとBSIセンサーのどちらを選ぶかは、性能要件とシステムコストのバランスによって決まることが多い。
FSIセンサーとBSIセンサーの選択
イメージング用途において、前面照射型(FSI)センサーと背面照射型(BSI)センサーのどちらを選択するかを決定する際に、最も重要な仕様は、特定のニーズに必要な量子効率(QE)です。量子効率とは、センサーが入射光を電気信号にどれだけ効率的に変換できるかを示す指標です。
FSIセンサー費用対効果が最優先され、必要な光感度レベルが中程度である用途には、これで十分かもしれない。
BSIセンサー高価ではあるものの、特に低照度環境下での高い感度が不可欠な用途には最適です。
アプリケーションに必要な量子効率を理解することで、FSIセンサーアーキテクチャとBSIセンサーアーキテクチャのどちらがより適しているかを判断するのに役立ちます。
結論
FSIセンサーとBSIセンサーはどちらも現代の科学用イメージングカメラで広く使用されており、用途に応じてそれぞれ異なる利点があります。FSIセンサーは、照明条件が安定していて極めて高い感度が求められない多くのイメージングシステムにおいて、費用対効果が高く成熟したソリューションを提供します。
一方、BSIセンサーは光子検出を最大化し、より高い量子効率と感度を実現するように設計されているため、蛍光顕微鏡やその他の科学的画像処理タスクなど、要求の厳しい低照度アプリケーションに最適です。
Tucsenは、さまざまな画像処理要件に対応するFSIおよびBSI sCMOSカメラを幅広く提供しており、研究者がそれぞれの用途に最適なセンサーアーキテクチャを選択できるよう支援します。
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| カメラの種類 | BSI sCMOS | FSI sCMOS |
| 高感度 | ディヤーナ 95V2 ディヤーナ400BSIV2 ディヤーナ 9KTDI
| ディヤーナ400D ディヤーナ400DC |
| 大判 | ディヤーナ 6060BSI ディヤーナ4040BSI | ディヤーナ 6060 ディヤーナ 4040 |
| コンパクト設計 | —— | ディヤーナ401D ディヤーナ201D |
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2022/03/25